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硒化鋯 ZrSe3 (Zirconium Triselenide)

簡要描述:晶體尺寸:8毫米
電學性能:半導體
晶體結構:單斜磷
晶胞參數(shù):a = 0.541nm,B = 0.375nm,C = 0.944nm,α=γ= 90°,γ= 97.50
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
表征方法:XRD、拉曼、EDX

  • 更新時間:2024-06-03
  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 訪  問  量:952

詳細介紹

晶體尺寸:8毫米
電學性能:半導體
晶體結構:單斜磷
晶胞參數(shù):a = 0.541nm,B = 0.375nm,C = 0.944nm,α=γ= 90°,γ= 97.50
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
表征方法:XRD、拉曼、EDX


X-ray diffraction on a ZrSe3 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8


Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal ZrSe3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.


Raman spectrum of a single crystal ZrSe3. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.


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